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asemi品牌 25n120 mos場效應(yīng)晶體管 插件封裝 mosfet
型號：25n120
封裝：to-247/3p
漏*電流（vds）：25a
漏源電壓（id）：1200v
工作溫度：-55℃~150℃
種類：場效應(yīng)晶體管/mosfet
品牌：asemi
市面上常有的一般為n溝道和p溝道，24n50品質(zhì)供應(yīng)商，詳情參考右側(cè)圖片(p溝道耗盡型mos管)。而p溝道常見的為低壓mos管。
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asemi品牌 to-220 mos場效應(yīng)晶體管 100n10
型號：100n10
封裝：to-220ab
漏*電流（vds）：100a
漏源電壓（id）：100v
工作溫度：-55℃~150℃
封裝類型：插件
種類：場效應(yīng)晶體管/mosfet
品牌：asemi
場效應(yīng)管通過投影p溝道m(xù)os管符號一個電場在一個絕緣層上來影響流過晶體管的電流。事實上沒有電流流過這個絕緣體，品質(zhì)供應(yīng)商，所以fet管的gate電流非常小。
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asemi品牌 mos管 sym601 600v mosfet
型號：sym601
封裝：sot-89
漏*電流（vds）：1a
漏源電壓（id）：600v
工作溫度：-55℃~150℃
封裝形式：貼片
種類：場效應(yīng)晶體管/mosfet/mos管
品牌：asemi
mos電容的gate電位是0v。金屬gate和半導(dǎo)體backgate在work function上的差異在電介質(zhì)上產(chǎn)生了一個小電場。在器件中，這個電場使金屬*帶輕微的正電位，p型硅負電位。
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