檢修用IGBT測試儀-華科智源(推薦商家)

華科智源igbt測試儀針對 igbt 的各種靜態(tài)參數(shù)而研制的智能測試系統(tǒng)；建議進行高溫測試，模擬器件使用工況，更為準確的判斷器件老化程度。自動化程度高（按照操作人員設定的程序自動工作），檢修用igbt測試儀，計算機可以記錄測試結果，測試結果可轉(zhuǎn)化為文本格式存儲，檢修用igbt測試儀加工，測試方法靈活（可測試器件以及單個單元和多單元的模塊測試），安全穩(wěn)定（對設備的工作狀態(tài)進行全程實時監(jiān)控并與硬件進行互鎖），具有安全保護功能，檢修用igbt測試儀廠家，測試速度方便快捷。
目的和用途該設備用于功率半導體模塊（igbt、frd、肖特基二*管等）的動態(tài)參數(shù)測試，以表征器件的動態(tài)特性，通過測試夾具的連接，實現(xiàn)模塊的動態(tài)參數(shù)測試。操作系統(tǒng)、備份、保存、遠程控制編輯、上傳、故障自檢報警等基本功能。1.2 測試對象igbt、frd、肖特基二*管等功率半導體模塊2.測試參數(shù)及指標2.1開關時間測試單元技術條件開通時間測試參數(shù)：1、開通時間ton：5～2000ns±3%±3ns2、開通延遲時間td(on)：5～2000ns±3%±3ns3、上升時間tr：5～2000ns±3%±3ns4、開通能量： 0.2～1mj±5%±0.01mj1～50mj±5%±0.1mj 50～100mj±5%±1mj100～500mj±5%±2mj5、開通電流上升率di/dt測量范圍：200-10000a/us6、開通峰值功率pon：10w～250kw
測試的igbt參數(shù)包括：ices（漏流）、bvces（耐壓）、igesf（正向門*漏流）、igesr（反向門*漏流）、vgeth（門檻電壓／閾值）、vgeon（通態(tài)門*電壓）、vcesat（飽和壓降）、icon（通態(tài)集*漏流）、vf（二*管壓降）、gfs（跨導）、rce（導通電阻）等全直流參數(shù)， 所有小電流指標保證1%重復測試精度， 大電流指標保證2%以內(nèi)重復測試精度。(因漏電流是以溫度的二次方的曲線增加)，進而使半導體的接口產(chǎn)生大量崩潰，而將此元件完全燒毀。
半導體元件全自動測試系統(tǒng)，可以元件在*工作狀態(tài)下的電流及電壓，并測量重要參數(shù)的數(shù)據(jù)，檢修用igbt測試儀批發(fā)，再與原出廠指標比較，由此來判定元件的好壞或退化的百分比。每個電流模塊，都具有*的供電系統(tǒng)，以便在測試時，提供內(nèi)部電路及電池組充電之用；01～50ma集電*電壓vces：50～500v±2%±1v。 可選購外部高壓模塊，執(zhí)行關閉狀態(tài)參數(shù)測試如：各項崩潰電壓與漏電流測量達2kv。
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